美光扩大NAND产能，将率先使用1z nm 制程生产DDR4 记忆体

美国美光宣布将率先采用全新的1z nm 制程生产单颗16Gb 的DDR4 记忆体，相较现行1y nm 制程， 1z nm 制程能够进一步提升性能并降低成本。此外，位于新加坡的Fab 10 记忆体生产厂房也在上周完成扩建，预计在2019 年开始进行量产，不过工厂扩建计划与生产计划是评估市场需求后的结果，美光在扩建后并无剧烈增加产能的规划。

美光强调1z nm 制程将达到业界最小尺寸，可作为生产常规型的DDR4 、针对行动装置的LPDDR4 与图形产品的GDDR4 产品线等，当前1z nm 的16Gb DDR4 相对采用1y nm 的DDR4 能够降低40% 功耗。

美光计画透过1z nm 量产行动装置用的16Gb LPDDR4X 颗粒，并提供基于UFS 规范的uMCP4 封装， uMCP4 封装可在单一封装堆叠8 颗晶圆，实现16GB RAM 的最大容量，较现行LPDDR4 提升一倍。

同时采用1z nm 的LPDDR4X 不仅具备低功耗特色，还具备达4,266Mbps 的传输性能，对于高RAM 传输应用如4K 影像拨放可较1y nm 世代降低约10% 功耗。

美光也预计提供基于1z nm 晶片、混合RAM 与储存的解决方案，将自3GB RAM 搭配64GB 储存到最大8GB RAM 搭配256GB 储存等八种配置。